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Micron high bandwidth memory (HBM3E 36GB 12-high) and the AMD Instinct™ MI350 Series GPUs and platforms support the pace of AI data center innovation and growth A Media Snippet accompanying this announcement is available in this link. BOISE, Idaho, June 12, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) -- Micron

Micron Plans to Invest Approximately $200 Billion in Semiconductor Manufacturing and R&D in Idaho, New York and Virginia, Enhancing Domestic Memory Supply and Technology Leadership Micron to Build Second Leading-Edge Memory Manufacturing Fab in Idaho, Modernize and Expand Virginia Fab and Bring

美光 12  層堆疊 36GB HBM4  引領業界能源效率，驅動資料中心和雲端 AI  加速發展 2025 年 6  月 12  日，愛達荷州博伊西   —  隨著資料中心對 AI 訓練與推論工作負載需求持續升溫，高效能記憶體的重要性達到歷史新高。美光科技（ Nasdaq: MU ）   今日宣布已將其 12  層堆疊 36GB HBM4 送樣給多家主要客戶。此一里程碑再次擴大美光在 AI  記憶體效能和能源效率方面的領導地位。憑藉其成熟的 1β （ 1-beta ） DRAM  製程、備經驗證的 12  層先進封裝技術及功能強大的記憶體內建自我測試（ MBIST ）功能，美光 HBM4 

マイクロンの 12 層積層 HBM4 36GB 製品は、データセンターとクラウド AI の加速を支援し、 業界をリードする電力効率を実現 2025 年 6 月 10 日、米国アイダホ州ボイシ   —   高性能メモリは、データセンターにおける AI の学習／推論ワークロードの急増を支える中核的な役割から、その重要性はこれまで以上に高まっています。 Micron Technology, Inc. （ Nasdaq ： MU ） は 本日、複数の主要顧客向けに、 12 層積層 HBM4 36GB （ギガバイト）   のサンプル出荷を開始したと発表しました。この成果は、 AI

美光 12  层堆叠 36GB HBM4  能效领先业界，实现数据中心和云端   AI  加速 2025  年 6  月 12  日，爱达荷州博伊西市   —— 随着数据中心对 AI  训练与推理工作负载需求的持续增长，高性能内存的重要性达到历史新高。 Micron Technology Inc. （美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码： MU ）今日宣布已向多家主要客户送样其 12  层堆叠 36GB HBM4 内存。这一里程碑再次扩大了美光在 AI  内存性能和能效方面的领导地位。凭借其成熟的 1 β（ 1-beta ） DRAM  制程、经过验证的   12 

Micron HBM4 36GB 12-high products lead the industry in power efficiency for data center and cloud AI acceleration A Media Snippet accompanying this announcement is available in this link. BOISE, Idaho, June 10, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) --  The importance of high-performance memory has never been

美光 LPDDR5X  内存专为旗舰智能手机设计，以业界领先的超薄封装提供高速等级并显著降低功耗 2025  年 6  月 6  日，爱达荷州博伊西市   —   美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码： MU ）今日宣布已开始出货全球首款采用   1γ （ 1-gamma ）制程节点的   LPDDR5X  内存认证样品。该产品专为加速旗舰智能手机上的   AI  应用而设计。美光 LPDDR5X  内存具备业界领先的速率，达到每秒 10.7 Gb （ Gbps ），同时功耗可降低高达 20% [1] ，为智能手机带来更快、更流畅的移动体验和更强的续航，即使在执行如 AI 

美光 LPDDR5X  記憶體專為旗艦智慧型手機設計，以業界最薄的封裝設計提供最高速度等級與顯著的省電效能 2025  年 6  月 6  日，愛達荷州博伊西 ——  美光科技（ Nasdaq ： MU ）今日宣布已開始出貨全球首款採 1γ （ 1-gamma ）製程節點的低功耗雙倍資料速率 （ LPDDR5X ）記憶體的認證樣品，專為加速旗艦智慧型手機上的 AI  應用而設計。美光 LPDDR5X  提供業界最快的 LPDDR5X  速度等級，達到每秒 10.7 Gb （ Gbps ），同時還能節省最高達 20%  的功耗 [1]

フラグシップスマートフォン向けに設計されたマイクロン LPDDR5X メモリにより、 業界最薄パッケージで最高水準の速度と大幅な省電力を実現 2025 年 6 月 3 日、アイダホ州ボイシ   — Micron Technology, Inc. （ Nasdaq ： MU ）は 本日、世界初となる 1γ （ 1 ガンマ）ノードベースの省電力ダブルデータレート 5X （ LPDDR5X ）メモリの認定サンプルの出荷を開始したと発表しました。このメモリは、フラグシップスマートフォンでの AI アプリケーションの高速化に向けて設計されました。マイクロン LPDDR5X は、業界最速となる 10.7

Designed for flagship smartphones, Micron LPDDR5X memory delivers top speed grades and dramatic power savings in industry’s thinnest package BOISE, Idaho, June 03, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) -- Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), announced today that it is shipping qualification samples of the world’s

The Crucial T710 sets a new standard with unparalleled Gen5 performance for pro gamers and creators. The Crucial X10 portable SSD combines sleek style, functional durability and storage options up to 8TB.  TAIPEI, Taiwan, May 19, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) -- Today at Computex 2025, Micron Technology,

Micron confirms that a letter was sent to customers on March 25, 2025, with respect to price increases. This action is consistent with comments made on Micron's earnings call on March 20, 2025. Micron is not making any comments on its financial outlook at this time.

AI プラットフォームの可能性を最大限に引き出すために設計された MicronHBM3E 12H や、 LPDDR5X ベースの SOCAMM ソリューションを発表 2025 年 3 月 18 日 -  カリフォルニア州サンノゼ発   - GTC 2025 - AI は、高性能で高帯域幅のメモリソリューションに基づき持続的な成長を遂げています。これらのメモリソリューションは、 GPU やプロセッサの能力を引き出すために不可欠です。 Micron Technology, Inc. （ Nasdaq: MU ）は本日、データセンターの AI サーバーに搭載される HBM3E や SOCAMM （

美光推出 HBM3E 12H  和   以 LPDDR5X 為架構之 SOCAMM  解決方案，徹底釋放 AI  平台的無限潛能 2025  年 3  月 25  日，美國加州聖荷西， GTC 2025 —  AI  運作長期穩健成長的基礎，建立在高效能、高頻寬的記憶體解決方案之上。其中，這些高效能記憶體解決方案對於充分發揮 GPU  和處理器的潛能至關重要。美光科技（ Nasdaq: MU ）今日宣布，成為全球首家且唯一同時出貨 HBM3E  及 SOCAMM  （小型壓縮附加記憶體模組）產品的記憶體廠商，這兩款產品專為資料中心 AI  伺服器設計。

Micron HBM3E 12H and LPDDR5X-based SOCAMM solutions designed to unlock full potential of AI platforms SAN JOSE, Calif., March 18, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) -- GTC 2025 --  Secular growth of AI is built on the foundation of high-performance, high-bandwidth memory solutions.

業界初となる高性能な 1 g   ノードにより、 データセンターからクライアント及びモバイルプラットフォームにわたり 卓越したパフォーマンスと消費電力効率を提供   2025 年 2 月 25 日、アイダホ州ボイシ発 — Micron Technology, Inc. （ Nasdaq ： MU ）は本日、次世代 CPU 向けに設計され、第 6 世代（ 10nm クラス）となる 1 g （ 1 ガンマ） DRAM ノードベースの DDR5 メモリのサンプル出荷を業界で初めてエコシステムのパートナーおよび一部の顧客を対象に開始したと発表しました。この 1 g DRAM

美光以業界領先的高效能 1γ  節點，為資料中心、用戶端及行動平台提供卓越的效能及能源效率   2025 年 2  月 26  日，愛達荷州博伊西 —  美光科技（ Nasdaq: MU ）今日宣布業界其首款基於第六代（ 10 奈米等級）採 1γ （ 1-gamma ）製程節點的 DRAM DDR5  記憶體樣品將出貨至生態系統中的合作夥伴和指定客戶進行驗證。 1γ DRAM  是美光繼領先業界的 1α （ 1-alpha ）和 1β （ 1-beta ） DRAM  製程節點之後，再次樹立的重大里程碑，並將有效賦能雲端、工業與商業消費端及邊緣 AI 設備（如 AI PC

美光业界首款高性能   1γ  节点技术，为数据中心、客户端及移动平台带来卓越的性能与能效   2025  年 2  月 26  日，中国上海   —   美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码： MU ）今日宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代   CPU  设计的   1γ （ 1-gamma ）第六代（ 10  纳米级） DRAM  节点   DDR5  内存样品。得益于美光此前在   1α （ 1-alpha ）和   1β （ 1-beta ） DRAM  节点的领先优势， 1γ DRAM  节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧   AI 

Micron delivers superior performance and power efficiency to data center, client and mobile platforms with the industry’s first high performance 1γ node BOISE, Idaho, Feb. 25, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) -- Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), today announced it is the first in the industry to ship

Samsung Galaxy S25 Ultra 、 Galaxy S25+  及 Galaxy S25  旗艦手機 內建 美光記憶體和儲存裝置，引領多模態 AI  體驗   2025  年 2  月 24  日，美國愛達荷州博伊西 —— 美光科技（ Nasdaq ： MU ） 今日宣布，其業界領先的 低功耗雙倍資料速率 5X （ LPDDR5X ） 記憶體與 通用快閃記憶體儲存（ UFS 4.0 ） 已內建於 Samsung Galaxy S25  系列 的部分機型；該系列產品首創多模態 AI  代理功能，開創更直覺、更具情境感知能力的 AI  體驗。此外，美光現正向市場推出其史上最節能的