マイクロンのHBM3E製品は競合製品と比較して消費電力を約30%抑制し、
データセンターの運用コスト削減に寄与
米国アイダホ州ボイシ、2024年2月26日 - Micron Technology, Inc.（ナスダック：MU）は、同社の広帯域幅メモリ3E（HBM3E）ソリューションの量産開始を発表しました。マイクロンの8層積層 24ギガバイト（GB）HBM3Eは、2024年第2四半期に出荷開始が予定されるNVIDIA H200 Tensor コア GPUの一部として実装されます。この採用はマイクロンが業界最先端に位置付けられていることを象徴しており、HBM3Eの業界最高水準のパフォーマンスと電力効率、AIソリューションの可能性を広げるものです。
AI革命を勢いづけるHBM3E
AI需要が急成長を続ける今、ワークロードの多様化に追従するメモリ・ソリューションの重要性が一層、増しています。マイクロンのHBM3Eソリューションは、以下の特長を有し、この課題を解決します。
- 卓越したパフォーマンス：マイクロンのHBM3Eが有するピン速度、毎秒9.2ギガビット（Gbps）超の高速化により、毎秒1.2テラバイト（TB/s）を上回るメモリ帯域幅を実現。AIアクセラレーターやスーパーコンピューター、データセンターに求められる超高速のデータアクセスを実現
- 比類ない電力効率：マイクロンのHBM3Eは、競合製品と比べて消費電力を最大30%削減し、業界最高水準の電力効率を実現。増加の一途にあるAIの需要と利用拡大に対して、HBM3Eは消費電力を最小限に抑えながらスループットを最大化し、データセンターの重要指標となる運用コストを改善
- シームレスな拡張性：マイクロンのHBM3Eは現在、24GBの容量を達成し、データセンターでのさまざまなAIアプリケーションのシームレスな拡張を実現。大規模なニューラル・ネットワークの学習処理や推論タスクのアクセラレーションを問わず、必要とされるメモリ帯域幅を提供
マイクロンテクノロジー 上席副社長 兼 最高事業責任者 スミット・サダナ（Sumit Sadana）は「マイクロンは今回のHBM3Eでの成果により、タイム・トゥー・マーケット（製品の市場投入までに要する時間）でのリーダーシップ、業界最高水準のパフォーマンス、そして差別化された電力効率プロファイルという3つの要素を実現させました。AIワークロードはメモリの帯域幅と容量に大きく依存しますが、業界をリードするHBM3EとHBM4のロードマップと、AIアプリケーション向けの包括的なDRAM／NAND製品ポートフォリオにより、マイクロンは今後、高い成長が見込まれるAIを支えられる優位なポジションにあります」と述べています。
マイクロンは、同社の1β（ベータ）テクノロジー、先端シリコン貫通電極（TSV）、差別化されたパッケージング・ソリューションを具現化するその他革新技術を活用して、この業界最先端のHBM3Eを設計、開発しました。2.5D／3D積層メモリと先端パッケージング技術で実績あるリーダーであるマイクロンはTSMCの3DFabric Allianceに参加し、半導体とシステム・イノベーションの未来の形成にも貢献しています。
またマイクロンは、競合製品よりも優れた1.2TB/s超のパフォーマンスと電力効率を実現する12層積層の36GB HBM3Eのサンプル出荷を2024年3月に予定し、そのリーダーシップを拡大させます。マイクロンは3月18日に開幕するNVIDIA GTCのスポンサー企業を務め、業界最先端のAIメモリ・ポートフォリオとロードマップの詳細を紹介する予定です。
Micron Technology, Inc.について
マイクロンは、情報活用のあり方を変革し、すべての人々の生活を豊かにするために、革新的なメモリおよびストレージソリューションを提供するリーディングカンパニーです。顧客第一主義を貫き、テクノロジーの最前線でリーダーシップを発揮し続け、洗練された製造技術と事業運営を妥協なく追求するマイクロンの製品ポートフォリオは、DRAM、NAND、NORの各種メモリからストレージ製品まで多岐にわたり、Micron®またはCrucial®のブランドを冠した高性能な製品を多数展開しています。マイクロンで生まれた数々のイノベーションは、データの活用を加速すると同時に、人工知能や5Gといった最先端分野の進歩の基盤として、データセンターからインテリジェントエッジ、さらにはクライアントコンピューターとモバイルをまたいだユーザーエクスペリエンスまで、さまざまな事業機会を新たに生み出し続けています。Micron Technology, Inc.(Nasdaq：MU）に関する詳細は、micron.comをご覧ください。
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