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美光 2600 SSD  以 QLC 的經濟效益，提供超越 TLC  主流固態硬碟的使用者體驗 2025 年 7  月 1  日，愛達荷州博伊西 —— SSD  對於提升 PC  和用戶端裝置的使用者體驗和系統效能至關重要。 美光科技 . （ Nasdaq: MU ）今日宣布推出美光 2600 NVMe™ SSD ，這款專為 OEM  設計的主流用戶端儲存解決方案。 2600 SSD  採用業界首款用於 SSD  的第九代 QLC NAND ，搭載美光創新的自適應寫入技術（ Adaptive Write Technology™ ，簡稱 AWT ），在兼顧 QLC  經濟效益的同時，實現卓越的

美光 2600 SSD  以 QLC  的经济效益水平，提供超越高性价比 TLC SSD  的用户体验 2025  年   7  月 1  日，爱达荷州博伊西市   —   SSD  对于提升 PC  及客户端设备的用户体验和系统性能至关重要。 Micron Technology Inc. （美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码： MU ）今日宣布，推出美光 2600 NVMe™ SSD ，专为原始设备制造商（ OEM ）设计的高性价比客户端存储解决方案。 2600 SSD  搭载业界首款应用于 SSD 的第九代 QLC NAND （ G9 QLC NAND

QLC の高い経済性により、 TLC のバリューモデルを上回るユーザー体験を実現する Micron 2600 SSD 2025 年 6 月 26 日、米国アイダホ州ボイシ   — SSD は、 PC やクライアントデバイスでのユーザー体験やシステムパフォーマンスの向上に不可欠です。 Micron Technology, Inc. （ Nasdaq ： MU ）は本日、 OEM 顧客向けに設計されたバリュークライアント向けストレージソリューション、 Micron 2600 NVMe ™ SSD を発表しました。この新製品は、業界初となる第 9 世代   QLC （クアッドレベルセル） NAND

マイクロンの 12 層積層   HBM3E 36GB と AMD Instinct™ MI350 シリーズの GPU プラットフォームが、 AI データセンターのイノベーションと成長を促進 2025 年 6 月 12 日、米国アイダホ州ボイシ   — Micron Technology, Inc. （ Nasdaq: MU ）は本日、同社の 12 層積層   HBM3E 36GB （ギガバイト）製品が AMD の次世代「 AMD Instinct™ MI350 」シリーズ・ソリューションに採用されたと発表しました。この連携は、大規模な AI

美光的高頻寬記憶體（ HBM3E 12  層堆疊 36GB 記憶體）與 AMD Instinct™ MI350  系列 GPU  及平台攜手推動 AI  資料中心創新與成長 2025 年 6 月 17 日，愛達荷州博伊西 (GLOBE NEWSWIRE) —  美光科技今日宣布將其 HBM3E 12  層堆疊 36GB  記憶體 整合至即將推出的 AMD Instinct™ MI350 系列解決方案中。此次合作突顯能源效率和效能在訓練大型 AI 模型、提供高傳輸量推論，以及處理複雜之高效能運算工作負載 （如資料處理和運算建模）方面的關鍵作用。此外，這也是美光在

Micron Plans to Invest Approximately $200 Billion in Semiconductor Manufacturing and R&D in Idaho, New York and Virginia, Enhancing Domestic Memory Supply and Technology Leadership Micron to Build Second Leading-Edge Memory Manufacturing Fab in Idaho, Modernize and Expand Virginia Fab and Bring

マイクロンの 12 層積層 HBM4 36GB 製品は、データセンターとクラウド AI の加速を支援し、 業界をリードする電力効率を実現 2025 年 6 月 10 日、米国アイダホ州ボイシ   —   高性能メモリは、データセンターにおける AI の学習／推論ワークロードの急増を支える中核的な役割から、その重要性はこれまで以上に高まっています。 Micron Technology, Inc. （ Nasdaq ： MU ） は 本日、複数の主要顧客向けに、 12 層積層 HBM4 36GB （ギガバイト）   のサンプル出荷を開始したと発表しました。この成果は、 AI

美光 12  層堆疊 36GB HBM4  引領業界能源效率，驅動資料中心和雲端 AI  加速發展 2025 年 6  月 12  日，愛達荷州博伊西   —  隨著資料中心對 AI 訓練與推論工作負載需求持續升溫，高效能記憶體的重要性達到歷史新高。美光科技（ Nasdaq: MU ）   今日宣布已將其 12  層堆疊 36GB HBM4 送樣給多家主要客戶。此一里程碑再次擴大美光在 AI  記憶體效能和能源效率方面的領導地位。憑藉其成熟的 1β （ 1-beta ） DRAM  製程、備經驗證的 12  層先進封裝技術及功能強大的記憶體內建自我測試（ MBIST ）功能，美光 HBM4 

美光 12  层堆叠 36GB HBM4  能效领先业界，实现数据中心和云端   AI  加速 2025  年 6  月 12  日，爱达荷州博伊西市   —— 随着数据中心对 AI  训练与推理工作负载需求的持续增长，高性能内存的重要性达到历史新高。 Micron Technology Inc. （美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码： MU ）今日宣布已向多家主要客户送样其 12  层堆叠 36GB HBM4 内存。这一里程碑再次扩大了美光在 AI  内存性能和能效方面的领导地位。凭借其成熟的 1 β（ 1-beta ） DRAM  制程、经过验证的   12 

美光 LPDDR5X  記憶體專為旗艦智慧型手機設計，以業界最薄的封裝設計提供最高速度等級與顯著的省電效能 2025  年 6  月 6  日，愛達荷州博伊西 ——  美光科技（ Nasdaq ： MU ）今日宣布已開始出貨全球首款採 1γ （ 1-gamma ）製程節點的低功耗雙倍資料速率 （ LPDDR5X ）記憶體的認證樣品，專為加速旗艦智慧型手機上的 AI  應用而設計。美光 LPDDR5X  提供業界最快的 LPDDR5X  速度等級，達到每秒 10.7 Gb （ Gbps ），同時還能節省最高達 20%  的功耗 [1]

美光 LPDDR5X  内存专为旗舰智能手机设计，以业界领先的超薄封装提供高速等级并显著降低功耗 2025  年 6  月 6  日，爱达荷州博伊西市   —   美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码： MU ）今日宣布已开始出货全球首款采用   1γ （ 1-gamma ）制程节点的   LPDDR5X  内存认证样品。该产品专为加速旗舰智能手机上的   AI  应用而设计。美光 LPDDR5X  内存具备业界领先的速率，达到每秒 10.7 Gb （ Gbps ），同时功耗可降低高达 20% [1] ，为智能手机带来更快、更流畅的移动体验和更强的续航，即使在执行如 AI 

フラグシップスマートフォン向けに設計されたマイクロン LPDDR5X メモリにより、 業界最薄パッケージで最高水準の速度と大幅な省電力を実現 2025 年 6 月 3 日、アイダホ州ボイシ   — Micron Technology, Inc. （ Nasdaq ： MU ）は 本日、世界初となる 1γ （ 1 ガンマ）ノードベースの省電力ダブルデータレート 5X （ LPDDR5X ）メモリの認定サンプルの出荷を開始したと発表しました。このメモリは、フラグシップスマートフォンでの AI アプリケーションの高速化に向けて設計されました。マイクロン LPDDR5X は、業界最速となる 10.7

Micron confirms that a letter was sent to customers on March 25, 2025, with respect to price increases. This action is consistent with comments made on Micron's earnings call on March 20, 2025. Micron is not making any comments on its financial outlook at this time.

美光推出 HBM3E 12H  和   以 LPDDR5X 為架構之 SOCAMM  解決方案，徹底釋放 AI  平台的無限潛能 2025  年 3  月 25  日，美國加州聖荷西， GTC 2025 —  AI  運作長期穩健成長的基礎，建立在高效能、高頻寬的記憶體解決方案之上。其中，這些高效能記憶體解決方案對於充分發揮 GPU  和處理器的潛能至關重要。美光科技（ Nasdaq: MU ）今日宣布，成為全球首家且唯一同時出貨 HBM3E  及 SOCAMM  （小型壓縮附加記憶體模組）產品的記憶體廠商，這兩款產品專為資料中心 AI  伺服器設計。

AI プラットフォームの可能性を最大限に引き出すために設計された MicronHBM3E 12H や、 LPDDR5X ベースの SOCAMM ソリューションを発表 2025 年 3 月 18 日 -  カリフォルニア州サンノゼ発   - GTC 2025 - AI は、高性能で高帯域幅のメモリソリューションに基づき持続的な成長を遂げています。これらのメモリソリューションは、 GPU やプロセッサの能力を引き出すために不可欠です。 Micron Technology, Inc. （ Nasdaq: MU ）は本日、データセンターの AI サーバーに搭載される HBM3E や SOCAMM （